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2. 摘要部分应语义确切，表述简明，用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论，文字不能与正文雷同，不少于250～300个字。
3. 论文为5宋、A4版面，技术文章4~5页(约4000字符)；综述文章6~7页 (约6000字符)。
4. 正文插图请用黑白图，图的宽度不超过8 cm，在图被缩小至半栏尺寸时，图中的文字和线条必须保持清晰，文字大小合适（6号字），所有的图（照片）、表都应给出英文图题和表题，分图标注中文图题，图中文字请用中文（英文缩写除外），物理量用符号表示，用“/” 与量纲单位隔开，如:V/V；t/ns；J/(μA•cm-2)，刻度线向里，疏密适中。
5. 参考文献（已公开发表）请用[ ]上角标形式在文中按顺序标出，参考文献为多作者的只写前三作者，采取姓前名后，“姓”要大写，“名”缩写。如期刊格式为：“作者．文题．期刊名[文献类型标识]．文献出处，年，卷（期）：起止页码”，文献类型标识为：专著[M]，论文集[C]，期刊[J]，学位论文[D]，报告[R]，标准[S]，专利[P]，工具书[K]。范例：
[1] JONES K S, PRUSSIN S, WEBER E R, et al. A systematic analysis of defects in ion-implanted silicon [J].Applied Physics Letters, 1988, 45(1):342-347.
[2] 白居宪.低噪声频率合成[M].陕西：西安交通大学出版社，1995：50-70.
[3] WEN Z M, CHOO K F. The optimum thermal of microchannel heat sinks[C]// Proceedings of IEEE CPMT Electronic Packaging Technology Conference. New York, USA, 1997:123-129.
6. 请提供最多三位作者的简介（在校生要给出导师简介），含姓名、性别、出生年、出生地、学历及职称、技术专长和研究方向，并在文后附第一作者近期一寸免冠证件照。
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